X射线光电子能谱仪（XPS）

服务简介：

X 射线光电子能谱 (XPS)，也被称为化学分析电子能谱 (ESCA)，是分析材料表面化学性质的一项技术。 XPS 可测量材料中元素组成、经验公式、元素化学价态和电子态。 用一束 X 射线激发固体表面，同时测量被分析材料表面 1-10 nm 内发射出电子的动能，而得到 XPS 谱。 通过对激发出的超过一定动能的电子进行计数，可以得到光电子谱。 光电子谱中出现的谱峰为原子中发射的一定特征能量电子。 光电子谱峰的能量和强度可用于定性和定量分析所有表面元素（氢元素除外）。

服务参数：

1 极限能量分辨率为0.43eV;

2 分析室真空度优于5×10-10 mbar;

3 能量分析范围为0-5000eV;

4 通过能范围为1-400eV；

5 固体样品的表面成分分析、化学态分析，取样深度一般约为1-10nm,其中金属材料为0.5-3nm，无机材料2-4nm，有机高聚物5-10nm。

检测项目：

1. 测试元素的价态及半定量分析（H，He元素除外）；

2. 可以测试俄歇谱、价带谱；

3.稀土类元素需要提供测试范围，与仪器默认的范围会有偏差，如果不提供而导致数据不完整，则不在售后处理范围之内。

4. 可以对样品进行氩离子清洁、刻蚀，（刻蚀深度和收费标准需要视情况而定，可拨打联系人电话进行咨询）。

含铁钴镍的样品默认为磁性样品

粉末样品只能刻蚀10s之内(约2.9nm)

如果样品不含碳 或者表面易吸附，可选择“氩离子清洗+常规测试”，测试效果相对较好

样品要求：

1.粉末测试需要量一般需要10毫克（测试前有效取出的质量），样品需干燥; 粉末样品不支持回收

2.固体块状样品尺寸应小于5*8mm，厚度尽量低于4mm，表面须平整，样品需干燥;

3.液体样须自行制样，参考方法：滴在铝箔或者硅片等载体上烘干形成液膜，一般重复3-5次烘干滴液差不多即可测不到基底;

4.材料必须是无放射性、无毒性、无挥发性物质(如单质Na, K, S, P, Zn, Se, As, I, Te, Hg等);

5. 元素窄谱如果有特殊要求请备注，如果没有特殊说明，默认测试最强峰，如果最强峰和其他元素的峰有重叠，默认测试次强峰。

6. 小于2%的元素可能测不出明显信号；

7.UPS测试需要足量样品，能铺成三到六毫米的薄层，ups需要导电性很好才行，否则无法测出信号。样品量尽量多提供一些，10-15mg

UPS:要求样品导电或半导体，无磁性，块体或薄膜，表面平整，无污染，薄膜附着性要好，不容易脱落，粉末尽可能磨细，做成薄膜（溶液-稀释；纳米粒子-研磨碎-分散到酒精中-超声；有机物质-溶解在氯仿等溶剂中，旋涂或者滴到硅片或者ITO上，可以多涂几次，)，万用表测电阻＜10MΩ（最差30MΩ），样品大小；ITO、玻璃衬底5*10mm，导电衬底5*5mm；制样到比较硬的金属或者硅片上

xps实验说明：

测试所用仪器和型号，以及是否需要校正，会和数据一起发送。

什么是荷电校正，如何进行荷电校正

XPS分析中，样品表面导电差，或虽导电但未有效接地。此时，当X射线不断照射样品时，样品表面发射光电子，表面亏电子， 出现正电荷积累（XPS中荷正电），从而影响XPS谱峰，影响XPS分析。在用XPS测量绝缘体或者半导体时，需要对荷电效应所引起的偏差进行校正，称之为“荷电校正”。

最常用的，人们一般采用外来污染碳的C1s作为基准峰来进行校准。以测量值和参考值(284.8 eV)之差作为荷电校正值(Δ)来矫正谱中其他元素的结合能。

具体操作：

1) 求取荷电校正值：C单质的标准峰位(一般采用284.8 eV)-实际测得的C单质峰位=荷电校正值Δ；

2)采用荷电校正值对其他谱图进行校正：将要分析元素的XPS图谱的结合能加上Δ，即得到校正后的峰位（整个过程中XPS谱图强度不变）。

将校正后的峰位和强度作图得到的就是校正后的XPS谱图。

结果示例：

提供的数据结果包含全谱和指定元素（下单时填写）的精细谱，文件为VGD格式和excel格式（如图1）

结果示例：